一種Co-Pi修飾的納米棒狀ZnFe2O4復(fù)合薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011220195.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114525543A 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN114525543A 申請公布日 2022-05-24
分類號 C25B11/091（2021.01）I;C25B1/04（2021.01）I;C25B1/55（2021.01）I;C25D5/54（2006.01）I;C25D3/56（2006.01）I 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 趙磊;馬海鵬;蘭亞堯;劉志峰 申請（專利權(quán)）人 新鄉(xiāng)學(xué)院
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 453000河南省新鄉(xiāng)市金穗大道東段191號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種Co?Pi修飾的納米棒狀ZnFe2O4復(fù)合薄膜的制備方法。本發(fā)明包括以下步驟：首先配制前驅(qū)體溶液，采用水熱法在空白FTO上制備ZnFe2O4薄膜。然后配制沉積溶液，采用光電沉積法制備ZnFe2O4/Co?Pi薄膜。本發(fā)明所制備的ZnFe2O4/Co?Pi復(fù)合薄膜可作為光陽極，其光電催化產(chǎn)氫性能較單一ZnFe2O4薄膜有所提高。本發(fā)明可達(dá)到簡單可行，原料成本低，光電催化產(chǎn)氫性能良好的有益效果。