功率MOSFET及其制造方法和電子設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011594169.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112635567A 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN112635567A 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊東林;陳文高;劉俠;潘志勝 申請（專利權(quán)）人 蘇州邁志微半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 北京中知法苑知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明;趙吉陽
地址 201306 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號1號樓、2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種功率MOSFET及其制造方法和電子設(shè)備，功率MOSFET包括：硅襯底以及硅襯底上的硅外延層；多個溝槽，間隔排列且形成在硅外延層內(nèi)；多個源極多晶硅，形成在多個溝槽下部內(nèi)且被場氧層包圍；多個柵極多晶硅，形成在多個溝槽上部內(nèi)且通過高密度二氧化硅與源極多晶硅間隔開；柵極多晶硅四周環(huán)繞有柵極氧化層；多個介質(zhì)氧化層，形成在柵極多晶硅上方，并且在橫向方向上越過溝槽邊界并生長到相鄰的部分硅外延層中；多個第一體區(qū)，間隔排列且位于多個溝槽之間；多個源區(qū)，位于多個第一體區(qū)上方；多個接觸孔，多個接觸孔從硅外延層的頂表面延伸至第一體區(qū)，多個接觸孔利用介質(zhì)氧化層作為硬掩模層刻蝕形成，并與多個介質(zhì)氧化層自對準形成。