功率MOSFET及其制造方法和電子設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011594199.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112635568A 公開（公告）日 2021-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN112635568A 申請(qǐng)公布日 2021-04-09
分類號(hào) H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊東林;陳文高;劉俠;潘志勝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州邁志微半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明;趙吉陽
地址 201306 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號(hào)1號(hào)樓、2號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種功率MOSFET及其制造方法和電子設(shè)備。所述功率MOSFET包括：硅襯底以及所述硅襯底上的硅外延層；多個(gè)溝槽，間隔排列且形成在所述硅外延層內(nèi)；源極多晶硅，形成在所述多個(gè)溝槽下部?jī)?nèi)且被場(chǎng)氧層包圍；柵極多晶硅，形成在所述多個(gè)溝槽上部?jī)?nèi)且通過高密度二氧化硅與源極多晶硅間隔開；所述柵極多晶硅四周環(huán)繞有柵極氧化層；多個(gè)第一體區(qū)，間隔排列且位于所述多個(gè)溝槽之間；多個(gè)源區(qū)，位于所述多個(gè)第一體區(qū)上方；多個(gè)接觸孔，所述多個(gè)接觸孔從所述硅外延層的頂表面延伸至所述第一體區(qū)，所述多個(gè)接觸孔與所述多個(gè)溝槽自對(duì)準(zhǔn)形成。