功率器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910705227.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110335895A 公開（公告）日 2019-10-15
申請公布號(hào) CN110335895A 申請公布日 2019-10-15
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳文高;楊東林;劉俠 申請（專利權(quán)）人 蘇州邁志微半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李明
地址 201306 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號(hào)1號(hào)樓、2號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種功率器件，所述功率器件劃分為元胞區(qū)、過渡區(qū)和終端區(qū)，所述功率器件包括：襯底；第一外延層，設(shè)置于所述襯底上方；第二外延層，設(shè)置于所述第一外延層上方；多個(gè)體區(qū)，設(shè)置于所述第二外延層中；多個(gè)元胞區(qū)溝槽，設(shè)置于元胞區(qū)的所述第二外延層中；多個(gè)過渡區(qū)溝槽，設(shè)置于過渡區(qū)的所述第二外延層中；多個(gè)終端區(qū)溝槽，設(shè)置于終端區(qū)的所述第二外延層中；其中，所述過渡區(qū)溝槽底部和終端區(qū)溝槽底部的介質(zhì)層厚度均大于所述元胞區(qū)溝槽底部的介質(zhì)層厚度。