增強型GaN基HEMT器件、器件外延及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110995683.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113782600A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113782600A 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/207（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C30B25/22（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬旺;陳龍;程靜云;陳祖堯;王洪朝;袁理 申請（專利權）人 聚能晶源（青島）半導體材料有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 賀妮妮
地址 266000山東省青島市即墨區(qū)服裝工業(yè)園孔雀河三路56號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種增強型GaN基HEMT器件、器件外延及其制備方法，該外延自下向上依次包括形成于襯底上的C摻雜c?GaN高阻層、本征u?GaN溝道層、AlGaN勢壘層、阻鎂擴散層及Mg摻雜p?GaN帽層；阻鎂擴散層包括Mg摻雜p?AlGaN層，且該Mg摻雜p?AlGaN層中的Mg以Mg?H鍵的形式被充分鈍化，以降低Mg的活性，同時Mg摻雜p?AlGaN層中Mg的摻雜濃度大于所述Mg摻雜p?GaN帽層中Mg的摻雜濃度。由于將阻鎂擴散層結(jié)構中Mg摻雜p?AlGaN層的Mg設置為Mg?H鍵的形式使Mg被鈍化，可有效降低Mg的活性同時Mg摻雜p?AlGaN層中Mg的摻雜濃度大于Mg摻雜p?GaN帽層中Mg的摻雜濃度，兩者形成一定的Mg濃度差，可以有效阻斷Mg摻雜p?GaN帽層中的Mg向下擴散，從而有效阻擋和降低Mg摻雜p?GaN帽層中的Mg擴散至AlGaN勢壘層及本征u?GaN溝道層，提高器件的導通性能。