一種焰熔法生長(zhǎng)光學(xué)級(jí)鈦酸鍶單晶體裝置
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710575402.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN107236992B | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-11-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107236992B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-11-29 |
| 分類號(hào) | C30B29/32;C30B11/10 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉旭東;畢孝國(guó);惠宇;孫旭東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 沈陽(yáng)鑫譜晶體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 大連智高專利事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 蓋小靜 |
| 地址 | 116622 遼寧省大連市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)學(xué)府大街10號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種焰熔法生長(zhǎng)光學(xué)級(jí)鈦酸鍶單晶體裝置,包括:升降機(jī)構(gòu)、結(jié)晶臺(tái)、爐體、生長(zhǎng)室、燃燒器、棒體原料、送料機(jī)構(gòu);所述結(jié)晶臺(tái)安裝在升降機(jī)構(gòu)上,單晶體在結(jié)晶臺(tái)上進(jìn)行結(jié)晶,所述爐體內(nèi)部的腔室為生長(zhǎng)室,單晶體置于生長(zhǎng)室中,所述燃燒器置于爐體上,燃燒器底部的噴嘴與生長(zhǎng)室相連通,棒體原料穿過(guò)燃燒器置于生長(zhǎng)室中的單晶體上方,所述送料機(jī)構(gòu)置于棒體原料頂部。本申請(qǐng)?zhí)岣吡司w穩(wěn)定生長(zhǎng)所需給料量的控制精度,進(jìn)而提高了晶體質(zhì)量和成品率,降低了晶體生長(zhǎng)成本。 |





