硅片生產(chǎn)系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510072543.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105990468B 公開（公告）日 2018-09-07
申請公布號 CN105990468B 申請公布日 2018-09-07
分類號 H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙鵬 申請（專利權(quán)）人 英利集團有限公司
代理機構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 代理人 英利集團有限公司;英利能源（中國）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司
地址 071051 河北省保定市朝陽北大街3399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅片生產(chǎn)系統(tǒng)。該硅片生產(chǎn)系統(tǒng)包括：濕法刻蝕設(shè)備，濕法刻蝕設(shè)備包括設(shè)備排風部與熱風干燥槽，熱風干燥槽具有硅片傳送入口和硅片傳送出口；臭氧氧化設(shè)備，設(shè)置在熱風干燥槽的下游，且臭氧氧化設(shè)備通過硅片傳送出口與熱風干燥槽連通；濕法刻蝕設(shè)備還包括：隔板，設(shè)置在熱風干燥槽與設(shè)備排風部之間以至少部分地將二者隔離，使熱風干燥槽內(nèi)的氣壓大于等于臭氧氧化設(shè)備內(nèi)的氣壓。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案可以解決現(xiàn)有技術(shù)中臭氧與硅片提前反應(yīng)并再經(jīng)過滾輪的碾壓而導致硅片表面的氧化層的薄厚不均的問題。