熔斷式印刷存儲器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810116634.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108364669A 公開（公告）日 2018-08-03
申請公布號 CN108364669A 申請公布日 2018-08-03
分類號 G11C17/16;G11C17/18 分類 信息存儲;
發(fā)明人 郭小軍;朱璐瑤;周浩宇;李思瑩;張霞昌;陳蘇杰;張婕;孫俊峰 申請（專利權(quán)）人 常州印刷電子產(chǎn)業(yè)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 常州印刷電子產(chǎn)業(yè)研究院有限公司
地址 213022 江蘇省常州市新北區(qū)太湖東路9-4號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及印刷存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種熔斷式印刷存儲器及其制備方法。所述熔斷式印刷存儲器，包括襯底和位于襯底表面的至少一個熔斷式器件；其中，所述熔斷式器件包括：熔斷功能材料層，設(shè)置于所述襯底表面，且所述熔斷功能材料層采用具有納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料制造而成；多個電極，設(shè)置于所述熔斷功能材料層表面，相鄰電極之間具有一間隙，由所述間隙暴露的所述熔斷功能材料層構(gòu)成熔斷功能區(qū)；隔熱封裝層，置于所述間隙中、且覆蓋所述熔斷功能區(qū)。本發(fā)明降低了熔斷式存儲器的熔斷電流，縮短了熔斷時間。