響應(yīng)類型可調(diào)的二維半導(dǎo)體室溫氫氣傳感器及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110072715.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112881476B 公開（公告）日 2022-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN112881476B 申請(qǐng)公布日 2022-06-28
分類號(hào) G01N27/12（2006.01）ICN 104374810 A,2015.02.25;CN 107315035 A,2017.11.03;CN 105272358 A,2016.01.27;CN 101294928 A,2008.10.29;CN 106198631 A,2016.12.07 Kusuma Urs MB等.Multi-component （Ag-Au-Cu-Pd-Pt） Alloy Nanoparticles Decorated p-type 2D-Molybdenum Disulphide （MoS2） for Enhanced Hydrogen Sensing.《Nanoscale》.2020,;Dongzhi Zhang等.Room temperature hydrogen gas sensor based on palladiumdecorated tin oxide/molybdenum disulfide ternary hybrid viahydrothermal route.《Sensors and Actuators B: Chemical》.2016, 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 王釗;楊偉佳;談?wù)?熊娟;顧豪爽 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖北大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 武漢帥丞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 430062湖北省武漢市武昌區(qū)友誼大道368號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種響應(yīng)類型可調(diào)的二維半導(dǎo)體室溫氫氣傳感器及制作方法，所述氫氣傳感器通過化學(xué)氣相沉積法（CVD）在Si/SiO2襯底上生長(zhǎng)二維MoS2薄膜，再利用滴涂的方法在MoS2薄膜上修飾SnO2制備，其制作方法為：對(duì)管式爐內(nèi)高、低溫區(qū)裝有MoO3和升華硫的石英舟（且MoO3上有Si/SiO2襯底）依次抽負(fù)壓—充氬氣三次，再保壓并分別加熱高低溫區(qū)至設(shè)定值得到MoS2薄膜，在MoS2薄膜的Si/SiO2襯底上制備基于MoS2薄膜的氫敏器件，將SnO2水膠分散液滴涂在氫敏器件上，經(jīng)真空干燥、真空退火得到。傳感器可在室溫下工作，靈敏可靠、成本低且易于集成，利用SnO2對(duì)二維MoS2薄膜進(jìn)行修飾，實(shí)現(xiàn)對(duì)氫氣的從n型到p型響應(yīng)的轉(zhuǎn)變，二維MoS2薄膜電子傳輸快，精度高，信噪比高，具有能與傳統(tǒng)Si技術(shù)集成的高兼容性。