一種用于低壓霍爾傳感器微信號(hào)傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)控制結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110524502.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113225060A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN113225060A 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類號(hào) H03K17/687（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 陳暉;袁雨;王國(guó)鵬;孔麒;湯雨譞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫力芯微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫知更鳥(niǎo)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王崢
地址 214028江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新輝環(huán)路8號(hào)無(wú)錫力芯微電子有限公司設(shè)計(jì)部
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種用于低壓霍爾傳感器微信號(hào)傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)控制結(jié)構(gòu)。包括輸入信號(hào)、升壓驅(qū)動(dòng)模塊、NMOS開(kāi)關(guān)管，其中，升壓驅(qū)動(dòng)模塊包括第一反相器、第二反相器、第一電容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第二電容；第一電容一端連接第二反相器的輸出端，另一端連接第一電位點(diǎn)；第二電容一端接地，一端連接第二PMOS管的漏極；第二電容與第二PMOS管的漏極的接點(diǎn)產(chǎn)生升壓信號(hào)，第一PMOS、第二PMOS管、第三PMOS管的N阱電位連接至第一電位點(diǎn)。通過(guò)電路拓?fù)涞母倪M(jìn)，在避免閂鎖效應(yīng)的同時(shí)取消了額外的阱偏置電路，電路結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單，節(jié)省芯片面積。