一種SiGe工藝信號(hào)放大器尾電流偏置電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011210745.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112230702A | 公開（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112230702A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-15 |
| 分類號(hào) | G05F1/56(2006.01)I | 分類 | 控制；調(diào)節(jié); |
| 發(fā)明人 | 趙欣 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 成都天朗電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都君合集專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 成都天朗電子科技有限公司 |
| 地址 | 610200四川省成都市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都市雙流區(qū)公興街道綜保大道一段11號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種SiGe工藝信號(hào)放大器尾電流偏置電路，偏置電流源輸出偏置電流的端口連接到三極管Q1的集電極，所述三極管Q1的發(fā)射極通過電阻R1后接地，所述三極管Q1的基極連接到三極管Q2的基極，三極管Q2的發(fā)射極通過電阻R2后和電阻R1接地端共地，所述三極管Q1基極還通過電容C1后和電阻R2、電阻R1接地端共地；三極管Q2集電極分別連接到兩個(gè)三極管Q3、Q4的發(fā)射極，所述三極管Q3的集電極通過電阻R3后連接電源，所述三極管Q4的集電極通過電阻R4后連接電源，三極管Q3和Q4的基極分別連接一個(gè)差分信號(hào)輸入；所述三極管Q1的集電極通過一個(gè)DNW CMOS模塊連接到三極管Q1的基極。?? |
