深硅刻蝕形貌控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110955977.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113880043A 公開（公告）日 2022-01-04
申請公布號 CN113880043A 申請公布日 2022-01-04
分類號 B81C1/00（2006.01）I;B81C3/00（2006.01）I 分類 微觀結構技術〔7〕;
發(fā)明人 徐偉;顏培力;張斌 申請（專利權）人 上海矽睿科技股份有限公司
代理機構 上海金盛協(xié)力知識產權代理有限公司 代理人 嚴帥
地址 200050上海市長寧區(qū)定西路1328號3樓307室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種深硅刻蝕形貌控制方法，所述深硅刻蝕形貌控制方法包括：步驟S1、在硅片的版圖結構上增加釋放圖形的設計結構,在硅片上的設定位置形成空腔結構；步驟S2、在經過步驟S1處理后的硅片上生長至少一層氧化層；步驟S3、將經過步驟S2處理的硅片與一裸硅晶圓鍵合，所述裸硅晶圓位于所述硅片的上方；步驟S4、通過深硅刻蝕將所述裸硅晶圓刻穿并停留在氧化層；步驟S5、將釋放圖形底部的氧化層腐蝕干凈。本發(fā)明提出的深硅刻蝕形貌控制方法，可在實現相同的結構形貌的前提下實現梳齒結構無損傷，確保器件的性能可靠。