波導集成雪崩光電二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911241096.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110880539A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN110880539A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L31/0232;H01L31/107 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃夢園;蘇宗一;邱德煌;李左璽;洪菁吟;潘棟 申請（專利權）人 希烽光電科技（南京）有限公司
代理機構 北京京萬通知識產權代理有限公司 代理人 許天易
地址 210043 江蘇省南京市江北新區(qū)星火路17號創(chuàng)智大廈B座611室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了單片雪崩光電二極管（APD）的各種實施例，其可以被制造在絕緣體上硅襯底上。單片APD包括將入射光引導到APD的有源區(qū)域的光波導。光耦合器與光波導一體形成以捕獲入射光。單片APD還包括光反射器，以將不容易被光耦合器捕獲的入射光的一部分反射到光耦合器以進一步捕獲。有源區(qū)域包括用于將入射光轉換成電子?空穴對的吸收層、用于通過雪崩倍增將電子?空穴對放大成光電流的外延結構、以及用于傳導光電流的一對電導體。