一種高帶寬低光學(xué)損耗的硅光引擎

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022719762.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN213690021U 公開(kāi)(公告)日 2021-07-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN213690021U 申請(qǐng)公布日 2021-07-13
分類(lèi)號(hào) G02B6/42(2006.01)I 分類(lèi) 光學(xué);
發(fā)明人 張昕;段彥輝;劉亞?wèn)|;蔡鵬飛;潘棟;于讓塵;程進(jìn);費(fèi)濤;劉宇飛;孫濤 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 希烽光電科技(南京)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 逯長(zhǎng)明;許偉群
地址 211800江蘇省南京市江北新區(qū)星火路17號(hào)創(chuàng)智大廈B座903
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高帶寬低光學(xué)損耗的硅光引擎,硅光引擎包括:光學(xué)芯片、電學(xué)芯片以及連接裝置。光學(xué)芯片用于接收以及發(fā)送光信號(hào)。電學(xué)芯片用于對(duì)光信號(hào)進(jìn)行處理。光學(xué)芯片和電學(xué)芯片之間采供倒裝焊連接以獲得更高的傳輸帶寬,從而適應(yīng)更高傳輸速率要求。光學(xué)芯片的接觸面上設(shè)置多個(gè)點(diǎn)狀第一金屬化層。電學(xué)芯片的接觸面上設(shè)置多個(gè)點(diǎn)狀第二金屬化層。連接裝置包括焊料層。焊料層設(shè)置于第一金屬化層與第二金屬化層之間。本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓韫庖?,采用倒裝焊的方法連接光學(xué)芯片以及電學(xué)芯片,提高了傳輸數(shù)據(jù)帶寬。同時(shí)本申請(qǐng)實(shí)施例對(duì)發(fā)射端光口進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),兼容不同光源耦合方式。