一種高集成度的硅光芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111091354.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113805270A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113805270A 申請(qǐng)公布日 2021-12-17
分類號(hào) G02B6/12（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 程進(jìn);孫濤;于讓塵;潘棟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 希烽光電科技（南京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 逯長(zhǎng)明;許偉群
地址 211800江蘇省南京市江北新區(qū)星火路17號(hào)創(chuàng)智大廈B座611
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高集成度的硅光芯片，通過(guò)分路器與雪崩光電二極管接收器的配合，可以有效減少激光器的數(shù)量。具體的，通過(guò)分路器可以將較少數(shù)量的激光器發(fā)射的直流激光拆分為更多的光路，以使拆分后得到的光路的數(shù)量符合硅光芯片要求的光路數(shù)量，同時(shí)，即使經(jīng)過(guò)分路器拆分后得到的光路的功率值較低，這些光路通過(guò)硅光調(diào)制器得到的調(diào)制后的光信號(hào)的功率值較低，也可以采用具有較高增益的光電二極管接收器準(zhǔn)確識(shí)別和捕獲這些功率值較低的調(diào)制后的光信號(hào)，而且，分路器和光電二極管接收器都可以集成在硅基襯底上，由此，可以有效提高硅光芯片的集成度。