高寬帶存儲器封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111496879.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114203569A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203569A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L21/60（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜茂華;吳明敏 申請（專利權）人 通富微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 北京中知法苑知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 李明;趙吉陽
地址 226004江蘇省南通市崇川路288號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高寬帶存儲器封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，該方法包括：在第一存儲器芯片內(nèi)預設位置處形成多個切割痕；在相鄰兩個所述切割痕之間將多個第二存儲器芯片依次混合鍵合堆疊設置在第一存儲器芯片上；形成第一塑封層；將塑封完成的第一存儲器芯片貼在貼片膜上，在對應多個切割痕的位置處切割第一塑封層，形成多個獨立的第二存儲器芯片組；沿多個切割痕，對第一存儲器芯片進行切割，形成多個獨立存儲器堆疊模塊；將多個存儲器堆疊模塊與緩沖芯片進行熱壓鍵合；形成第二塑封層；對第二塑封層和緩沖芯片進行切割，形成獨立存儲器封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的高寬帶存儲器封裝方法，可實現(xiàn)超細間距互連，增加垂直互連的數(shù)量，可提高數(shù)據(jù)吞吐量，增加容量。