一種多層堆疊存儲(chǔ)器封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111494369.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114203563A 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114203563A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L21/56（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜茂華;吳明敏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 通富微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明;趙吉陽(yáng)
地址 226004江蘇省南通市崇川路288號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種多層堆疊存儲(chǔ)器封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，該方法包括：提供緩沖芯片、多個(gè)假片和多個(gè)第一存儲(chǔ)器芯片，假片設(shè)置有槽體，緩沖芯片設(shè)置有多個(gè)第一導(dǎo)電通孔，第一存儲(chǔ)器芯片設(shè)置有與多個(gè)第一導(dǎo)電通孔相對(duì)應(yīng)的多個(gè)第二導(dǎo)電通孔；分別將每個(gè)第一存儲(chǔ)器芯片固定在對(duì)應(yīng)的假片的槽體內(nèi)，形成多個(gè)存儲(chǔ)器微模組；將多個(gè)存儲(chǔ)器微模組依次混合鍵合堆疊在緩沖芯片上，存儲(chǔ)器微模組在緩沖芯片上的正投影與緩沖芯片重合。本方法通過(guò)假片將兩種不同尺寸的第一存儲(chǔ)器芯片和緩沖芯片調(diào)整為同一尺寸，即存儲(chǔ)器微模組與緩沖芯片尺寸相同，可實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)混合鍵合，實(shí)現(xiàn)可量產(chǎn)性，產(chǎn)出率高。每相鄰兩個(gè)存儲(chǔ)器微模組間混合鍵合，在同等密度下，提高數(shù)據(jù)吞吐量。