一種三維MIM電容器的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010651339.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111933622A | 公開（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111933622A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號(hào) | H01L23/64(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄒思月;張繼華;方針;高莉彬;陳宏偉;王文君;蔡星周;穆俊宏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 成都邁科科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 電子科技大學(xué)專利中心 | 代理人 | 電子科技大學(xué);成都邁科科技有限公司 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種三維MIM電容器的制備方法，屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域。該三維MIM電容器包括三維多孔金屬底電極，以及形成于三維多孔金屬底電極的孔隙和表面的全致密絕緣介層，形成于全致密絕緣介層之上的金屬頂電極；其中，金屬底電極中三維多孔的孔徑范圍為1μm～5μm。首先通過陽(yáng)極氧化制備出多孔金屬基底，然后通過高溫氧化在金屬基底表面制備得到絕緣介質(zhì)層，最后通過磁控濺射在絕緣介質(zhì)層表面制備頂電極。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單，成本低廉，得到的多孔金屬基底比表面積增大，有效的提升了MIM電容器的性能。?? |
