離子注入和等離子體沉積設備以及采用等離子體處理薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010510359.5 申請日 -
公開（公告）號 CN101956171A 公開（公告）日 2011-01-26
申請公布號 CN101956171A 申請公布日 2011-01-26
分類號 C23C14/46(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 謝新林;楊念群 申請（專利權）人 深圳市信諾泰創(chuàng)業(yè)投資企業(yè)（有限合伙）
代理機構 中國商標專利事務所有限公司 代理人 萬學堂;曾海艷
地址 518057 廣東省深圳市南山區(qū)南海大道海王大廈住宅樓26B
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種離子注入和等離子體沉積設備，該設備包括離子源和真空室，其中，所述真空室壁上包括設置有抽真空口以及用于與所述離子源連通的開口；所述真空室內(nèi)包括設置有放卷輥、冷卻部件、收卷輥；所述冷卻部件由至少所述1根冷卻輥組成，所述冷卻輥、所述放卷輥和所述收卷輥都相互平行，并且所述冷卻輥的軸向與所述等離子體進入所述真空室的方向垂直；所述冷卻輥與所述開口在水平高度上一一對應，或者所述開口與所述冷卻輥在左右方向或者前后方向上一一對應；或者所述冷卻輥相對應地位于所述開口的正下方或者正上方。本發(fā)明還提供了一種采用等離子體處理的方法。本發(fā)明提供的設備能夠?qū)Ρ∧みM行連續(xù)的等離子體沉積和/或離子注入操作。