一種具有鰭式結構的半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210603401.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114695115A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695115A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/205（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭煒;戴貽鈞;葉繼春 申請（專利權）人 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
代理機構 - 代理人 -
地址 315201浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市大道519號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種具有鰭式結構的半導體器件及其制備方法，涉及半導體領域，該方法包括獲得形成有圖形化極性調節(jié)層的襯底；通過調節(jié)Ⅴ族源與Ⅲ族源的輸入比生長鰭式異質結，鰭式異質結包括在襯底未被圖形化極性調節(jié)層覆蓋的區(qū)域的氮極性異質結，以及位于圖形化極性調節(jié)層上的金屬極性異質結，氮極性異質結和金屬極性異質結的高度不同；制備電極，得到具有鰭式結構的半導體器件。圖形化極性調節(jié)層可以控制金屬極性異質結和氮極性異質結的分布，在不同Ⅴ族源與Ⅲ族源的輸入比下，金屬極性異質結和氮極性異質結生長高度不同，可直接生長出鰭式異質結，無需刻蝕，既可避免刻蝕帶來的損傷，還避免刻蝕損傷造成的溝道漏電通道，改善關態(tài)漏電流。