反饋電壓調(diào)整模塊、高調(diào)光深度的去紋波電路及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810995752.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110876215B 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN110876215B 申請公布日 2021-09-14
分類號 H05B45/10 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 劉軍;吳泉清;盧圣晟;張識博 申請（專利權(quán)）人 華潤矽威科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 214135 江蘇省無錫市無錫太湖國際科技園菱湖大道180號-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種反饋電壓調(diào)整模塊、高調(diào)光深度的去紋波電路及方法，所述去紋波電路包括：LED負(fù)載；去紋波控制管；反饋電阻；根據(jù)LED負(fù)載的負(fù)端電壓及去紋波控制管源端的反饋電壓控制去紋波控制管的去紋波控制模塊；根據(jù)輸出電流調(diào)整反饋電壓的反饋電壓調(diào)整模塊，在所述輸出電流從第一設(shè)定電流減小至最小輸出電流，并從所述最小輸出電流增大至第二設(shè)定電流的過程中，抬高所述反饋電壓，以提高電流檢測能力。本發(fā)明的反饋電壓調(diào)整模塊、高調(diào)光深度的去紋波電路及方法用芯片去紋波電路提高系統(tǒng)效率的同時，在高調(diào)光深度條件下仍能有極好的去紋波調(diào)整能力，大大提高了去紋波電路的性能。