一種SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備中坩堝獨(dú)立旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201521060739.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN205313716U 公開（公告）日 2016-06-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN205313716U 申請(qǐng)公布日 2016-06-15
分類號(hào) C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 毛開禮;郎鵬;李斌;王英民;周立平;戴鑫;侯曉蕊;王利忠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山西爍科新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 山西科貝律師事務(wù)所 代理人 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所;山西爍科新材料有限公司
地址 030024 山西省太原市和平南路115號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備中坩堝獨(dú)立旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，解決了SiC單晶形貌、質(zhì)量不均勻的問題。包括下法蘭盤（9），在下法蘭盤（9）的頂面上固定設(shè)置有外保溫支撐架（6），在外保溫支撐架（6）上固定設(shè)置有坩堝的外保溫層（7），在外保溫層（7）中活動(dòng)設(shè)置有桶型坩堝（11），在桶型坩堝（11）的頂面上設(shè)置有上保溫層（8），在桶型坩堝（11）的下底面上設(shè)置有下保溫層（10），在下保溫層（10）的下底面上連接有桶型坩堝支架（5），在下法蘭盤（9）上設(shè)置有電機(jī)（1），在電機(jī)（1）的輸出軸上連接有主動(dòng)齒輪（3），在桶型坩堝支架（5）上設(shè)置有環(huán)形齒條（4），主動(dòng)齒輪（3）與環(huán)形齒條（4）嚙合在一起的。有效地提升了溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)稱性。