一種高動(dòng)態(tài)范圍低噪聲的CMOS 傳感器芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310096801.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103139491A 公開（公告）日 2013-06-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN103139491A 申請(qǐng)公布日 2013-06-05
分類號(hào) H04N5/357(2011.01)I;H04N5/374(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 林昕;林豐成;趙曉錦;潘曉芳;張勖凱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天利半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)科技園南區(qū)高新南一道中國(guó)科技開發(fā)院3號(hào)塔樓7樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高動(dòng)態(tài)范圍低噪聲的CMOS傳感器芯片，其包括：電源單元及其與該電源單元連通的光強(qiáng)檢測(cè)單元、采樣單元、積分單元和反饋檢出單元，以及位切換控制單元，其中：所述光強(qiáng)檢測(cè)單元包括光強(qiáng)檢測(cè)模組、復(fù)位模組和計(jì)數(shù)存儲(chǔ)位模組，所述光強(qiáng)檢測(cè)模組在達(dá)到積分觸發(fā)時(shí)間后，藉由該復(fù)位模組對(duì)該光強(qiáng)檢測(cè)模組的電壓進(jìn)行復(fù)位，并通過(guò)該計(jì)數(shù)存儲(chǔ)位模組來(lái)記錄并存儲(chǔ)該時(shí)間內(nèi)積分觸發(fā)的次數(shù)，藉由此等形狀、結(jié)構(gòu)及其連接關(guān)系的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了該高動(dòng)態(tài)范圍低噪聲的CMOS傳感器芯片的設(shè)計(jì)構(gòu)造。