基于III?V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)及制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201611263484.4 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN106876406A | 公開(公告)日 | 2017-06-20 |
| 申請公布號 | CN106876406A | 申請公布日 | 2017-06-20 |
| 分類號 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I;G09G3/32(2016.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張希娟 | 申請(專利權(quán))人 | 上海君萬微電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所 | 代理人 | 張希娟;上海君萬微電子科技有限公司 |
| 地址 | 226019 江蘇省南通市崇川區(qū)中南世紀花城18#1203 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供一種基于III?V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)及制備方法,包括:有源矩陣驅(qū)動硅基背板,包括若干個驅(qū)動單元;LED微像素陣列,位于有源矩陣驅(qū)動硅基背板表面,包括若干個LED微像素;各LED微像素均包括發(fā)光材料層及陽極,各LED微像素的陽極分別與與其對應(yīng)的驅(qū)動單元的陽極相連接;發(fā)光材料層位于LED微像素的陽極表面;第一導(dǎo)電類型III?V族氮化物層,位于各LED微像素的發(fā)光材料層表面,且將各LED微像素相連接;彩色顯示所需的顏色轉(zhuǎn)換膜,位于第一導(dǎo)電類型的III?V族氮化物層表面。各LED微像素及各顏色轉(zhuǎn)換膜均通過厚度很小的第一導(dǎo)電類型III?V族氮化物層相連接,既可以縮小相鄰LED微像素的間距,以提高分辨率,又可以降低相鄰顏色轉(zhuǎn)換膜之間的串擾。 |





