一種LED微顯示陣列倒裝芯片
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201621168138.3 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN206134728U | 公開(公告)日 | 2017-04-26 |
| 申請公布號 | CN206134728U | 申請公布日 | 2017-04-26 |
| 分類號 | H01L33/58(2010.01)I;H01L25/13(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 石素君;許鍵;張雪峰 | 申請(專利權(quán))人 | 上海君萬微電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 南京匯盛專利商標事務所(普通合伙) | 代理人 | 上海君萬微電子科技有限公司 |
| 地址 | 200000 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)郭守敬路351號2號樓A682-01室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型公開了一種LED微顯示陣列倒裝芯片,包括襯底、陣列蝕刻在襯底上的多個凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜層和設于襯底上的LED微像素陣列,各LED微像素和凹槽一一對應;所述透明薄膜層的折射率>2.3,對藍光或綠光的透過率>97%;各LED微像素包括依次沉積在襯底上的N型GaN層、多量子阱層和P型GaN層;各LED微像素的N型GaN層連為一體形成共陰極,其上沉積有N電極金屬接觸層;各LED微像素的P型GaN層作為獨立的陽極,其上沉積有P電極金屬接觸層;其中,P型GaN層和P電極金屬接觸層之間還設有一反射層。本實用新型LED微顯示陣列倒裝芯片減少了像素單元之間出光的干擾,提升了LED微顯示陣列的分辨率。 |





