一種改善優(yōu)值的新型場(chǎng)效應(yīng)器件結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110273843.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113035945A 公開（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113035945A 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛昊源 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 海速芯（杭州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 連云港聯(lián)創(chuàng)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉剛
地址 214000 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)弘毅路8號(hào)901-910室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善優(yōu)值的新型場(chǎng)效應(yīng)器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中一種改善優(yōu)值的新型場(chǎng)效應(yīng)器件結(jié)構(gòu)，包括漏極金屬層、第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s襯底、第一導(dǎo)電類型外延層，所述第一導(dǎo)電類型外延層中部開設(shè)有元胞溝槽……；一種改善優(yōu)值的新型場(chǎng)效應(yīng)器件結(jié)構(gòu)的制造方法包括步驟S1刻蝕形成第二導(dǎo)電類型體區(qū)形成和元胞溝槽，S2制備屏蔽柵多晶硅的倒階梯狀的部分，S3制備控制柵多晶硅并形成完整的屏蔽柵多晶硅……；本發(fā)明提供的具有階梯狀屏蔽柵結(jié)構(gòu)可降低器件的柵電容并通過(guò)優(yōu)化器件內(nèi)部的電場(chǎng)線分布來(lái)改善導(dǎo)通電阻。即這種結(jié)構(gòu)改善了低壓超結(jié)MOS器件的FOM，減少了器件開關(guān)工作時(shí)的功耗并提升了元胞的抗漏極電壓震蕩對(duì)柵極的影響能力。