一種電磁加熱設(shè)備的控制方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110090035.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112911748A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112911748A 申請公布日 2021-06-04
分類號 H05B6/06 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 尹丹;李魏;張?zhí)靷?/td> 申請（專利權(quán)）人 中山市合碩高品電器有限公司
代理機(jī)構(gòu) 佛山市名誠專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧志文
地址 528427 廣東省中山市南頭鎮(zhèn)建安路1號之二四層之一
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明具體涉及一種電磁加熱設(shè)備的控制方法及裝置，包括步驟如下：步驟1:控制單元MCU持續(xù)檢測晶體管IGBT的反向電壓Vce，并判斷反向電壓Vce是否高于保護(hù)電壓閾值Vdet；步驟2:反向電壓Vce處于正常范圍，控制單元MCU不處理；步驟3:反向電壓Vce高于保護(hù)電壓閾值Vdet，控制單元MCU立即開啟IGBT的控制輸出信號；步驟4:反向電壓Vce在之前的控制后，那么在IGBT關(guān)閉后，如果反向電壓Vce又繼續(xù)開始上升，晶體管IGBT保護(hù)電壓閾值Vdet，控制單元MCU再次開啟IGBT的控制輸出信號；步驟5:反向電壓Vce低于晶體管IGBT保護(hù)電壓閾值Vdet后，停止下一個開關(guān)周期的驅(qū)動信號。本發(fā)明的有益效果是：控制單元MCU通過檢測反向電壓Vce而開啟晶體管IGBT的控制輸出信號，達(dá)到保護(hù)晶體管IGBT的目的。