一種寶石單晶生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510113625.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104711676A 公開（公告）日 2015-06-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN104711676A 申請(qǐng)公布日 2015-06-17
分類號(hào) C30B29/20(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 羅仁輝;秦英謖;馬中琦;楊明超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古京晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 包頭市專利事務(wù)所 代理人 莊英菊
地址 014030 內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市青山區(qū)裝備制造園區(qū)新北區(qū)新北路15號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種單晶生長(zhǎng)方法，具體涉及一種寶石單晶生長(zhǎng)方法。本發(fā)明在分段式熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)長(zhǎng)晶爐中，通過控制不同位置加熱器功率配比以及功率降速配比，使晶體在熱場(chǎng)環(huán)境下完成引晶、擴(kuò)肩、等徑生長(zhǎng)以及退火冷卻。本發(fā)明通過調(diào)整加熱器上中下三部分的功率配比以及降速配比，可在晶體生長(zhǎng)的不同階段營(yíng)造最適合晶體生長(zhǎng)的熱環(huán)境，既實(shí)現(xiàn)了熔體梯度的高度可調(diào)，也可實(shí)現(xiàn)溫度控制的直觀性與精確性，保持良好的生長(zhǎng)界面，最終生長(zhǎng)出的晶體外形光潔整齊、形狀規(guī)則、無回熔，晶體透亮、缺陷少、利用率高，晶體良率可達(dá)85%以上。本發(fā)明適用于各種重量級(jí)別的藍(lán)寶石生長(zhǎng)過程，尤其適用于80-150kg級(jí)別的藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)。