一種寶石單晶生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510113625.3 申請日 -
公開（公告）號 CN104711676B 公開（公告）日 2017-05-24
申請公布號 CN104711676B 申請公布日 2017-05-24
分類號 C30B29/20(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 羅仁輝;秦英謖;馬中琦;楊明超 申請（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古京晶光電科技有限公司
代理機構(gòu) 包頭市專利事務(wù)所 代理人 莊英菊
地址 014030 內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市青山區(qū)裝備制造園區(qū)新北區(qū)新北路15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種單晶生長方法，具體涉及一種寶石單晶生長方法。本發(fā)明在分段式熱場結(jié)構(gòu)長晶爐中，通過控制不同位置加熱器功率配比以及功率降速配比，使晶體在熱場環(huán)境下完成引晶、擴肩、等徑生長以及退火冷卻。本發(fā)明通過調(diào)整加熱器上中下三部分的功率配比以及降速配比，可在晶體生長的不同階段營造最適合晶體生長的熱環(huán)境，既實現(xiàn)了熔體梯度的高度可調(diào)，也可實現(xiàn)溫度控制的直觀性與精確性，保持良好的生長界面，最終生長出的晶體外形光潔整齊、形狀規(guī)則、無回熔，晶體透亮、缺陷少、利用率高，晶體良率可達85%以上。本發(fā)明適用于各種重量級別的藍寶石生長過程，尤其適用于80?150kg級別的藍寶石晶體生長。