一種高結(jié)合力氮化鋁覆銅陶瓷基板

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121126397.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214797405U 公開（公告）日 2021-11-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN214797405U 申請(qǐng)公布日 2021-11-19
分類號(hào) H01L23/498（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王敏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌光谷光電工業(yè)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 330000江西省南昌市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號(hào)101#主廠房1層101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種高結(jié)合力氮化鋁覆銅陶瓷基板，包括粗化后的氮化鋁陶瓷基板，與所述粗化后的氮化鋁陶瓷基板接觸的第一結(jié)合層，與第一結(jié)合層接觸的第二銅層及第二銅層表面處理層，所述第一結(jié)合層由一種金屬或兩種以上金屬組合，通過對(duì)氮化鋁陶瓷基板進(jìn)行粗化，提升表面的粗糙程度，形成氧化鋁薄層后再與第一結(jié)合層的金屬薄膜進(jìn)行連接，提高了氮化鋁陶瓷基板表面的結(jié)合度，進(jìn)一步提升于氮化鋁陶瓷基板與所述第二銅層的結(jié)合力，大大解決半導(dǎo)體模塊在長(zhǎng)時(shí)間的工作后，易出現(xiàn)氮化鋁陶瓷和銅層分離，導(dǎo)致半導(dǎo)體模塊性能大幅度下降甚至失效的風(fēng)險(xiǎn)。