快恢復(fù)功率MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110908107.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113437137A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113437137A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱袁正;葉鵬;楊卓;周錦程;劉晶晶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫新潔能股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫市興為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 214028江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)電騰路6號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種快恢復(fù)功率MOSFET，包括第一導(dǎo)電類型襯底，其上方設(shè)有第一導(dǎo)電類型外延層，在所述第一導(dǎo)電類型外延層表面設(shè)有溝槽，在所述溝槽的底部設(shè)有絕緣介質(zhì)塊，在所述絕緣介質(zhì)塊的上表面以及絕緣介質(zhì)塊上方的溝槽的側(cè)壁設(shè)有場(chǎng)氧層，所述場(chǎng)氧層包裹著屏蔽柵多晶硅，在所述溝槽的頂部設(shè)有柵極多晶硅，所述柵極多晶硅與屏蔽柵多晶硅之間設(shè)有層間介質(zhì)，所述柵極多晶硅與第一導(dǎo)電類型源區(qū)、第二導(dǎo)電類型體區(qū)、第一導(dǎo)電類型外延層相鄰，并通過(guò)柵氧層絕緣，本發(fā)明能夠降低反向恢復(fù)電荷，加快反向恢復(fù)，降低能量損耗，減小柵極震蕩效應(yīng)。 |
