碳化硅MOSFET器件及其工藝方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110274425.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113066866A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113066866A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-02 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱袁正;黃薛佺;楊卓 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫新潔能股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫市興為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 屠志力 |
| 地址 | 214000 江蘇省無(wú)錫市高浪東路999號(hào)B1號(hào)樓2層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種碳化硅MOSFET器件，包括高濃度N型漏極及漏極金屬，在所述高濃度N型漏極上設(shè)有N型外延層作為MOSFET器件的漂移區(qū)，在所述N型外延層上方設(shè)有間隔的P型體區(qū)，在所述P型體區(qū)內(nèi)設(shè)有高濃度的N型源極，在所述N型源極外側(cè)設(shè)有高濃度的第一P型源極，在所述N型外延層表面還設(shè)有柵極氧化層，所述柵極氧化層起始并終于兩個(gè)相鄰的N型源極上方，所述柵極氧化層上方設(shè)有柵極多晶硅，所述N型源極和第一P型源極表面還設(shè)有源極金屬，所屬源極金屬和柵極多晶硅之間設(shè)有絕緣介質(zhì)層隔離；所述P型體區(qū)和N型源極在Y方向上間隔向內(nèi)凹陷，且所述P型體區(qū)包圍N型源極，所述凹陷區(qū)域內(nèi)設(shè)有高濃度的第二P型源極。本發(fā)明提高了器件的短路能力。 |
