半導體器件及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110274455.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113066853A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066853A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L29/06;H01L27/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;周錦程;葉鵬;楊卓;劉晶晶 申請（專利權）人 無錫新潔能股份有限公司
代理機構 無錫市興為專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 屠志力
地址 214000 江蘇省無錫市高浪東路999號B1號樓2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導體器件，包括：P型襯底，在P型襯底上設有N型摻雜外延層，在N型摻雜外延層上設有高壓區(qū)和低壓區(qū)，在高壓區(qū)與低壓區(qū)之間設有高低壓結終端區(qū)，在低壓區(qū)和高低壓結終端區(qū)之間設有第一P型隔離柱，在高壓區(qū)和高低壓結終端區(qū)之間設有第二P型隔離柱，在第一P型隔離柱上連接第二P型隔離柱，所述第一P型隔離柱和第二P型隔離柱形成一個或多個封閉區(qū)域，高壓器件設置在所述封閉區(qū)域中。所述高壓器件為JFET器件、LDMOS器件、LIGBT器件、功率二極管器件中的一種或多種。本發(fā)明提高了芯片面積的利用率，從而降低了集成電路的成本。