一種快恢復(fù)二極管及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111654536.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114300544A | 公開（公告）日 | 2022-04-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114300544A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-08 |
| 分類號(hào) | H01L29/868（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李磊;許生根 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇中科君芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 陳麗麗;曹祖良 |
| 地址 | 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D2棟五層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種快恢復(fù)二極管，其中，包括：N型襯底材料層，N型外延層和第一摻雜濃度的P型材料層，第一摻雜濃度的P型材料層的表面包括多個(gè)第二摻雜濃度的P型材料區(qū)，N型襯底材料層背離N型外延層的表面形成第一金屬層，第一摻雜濃度的P型材料層背離N型外延層的表面形成第二金屬層，第一摻雜濃度的P型材料層的摻雜濃度小于第二摻雜濃度的P型材料區(qū)的摻雜濃度，且N型外延層靠近第一摻雜濃度的P型材料層的摻雜濃度大于N型外延層靠近N型襯底材料層的摻雜濃度。本發(fā)明還公開了一種快恢復(fù)二極管的制作方法。本發(fā)明提供的快恢復(fù)二極管能夠提升可靠性。 |
