橫向RC-IGBT器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810960333.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109148293B 公開（公告）日 2022-04-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN109148293B 申請(qǐng)公布日 2022-04-22
分類號(hào) H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊玨琳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇中科君芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 214135江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2棟五層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種橫向RC?IGBT器件及其制造方法，其集電極結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電類型集電極短路區(qū)、第二導(dǎo)電類型電場(chǎng)阻止層以及第一導(dǎo)電類型集電區(qū)；連接金屬與第二導(dǎo)電類型集電極短路區(qū)歐姆接觸；所述集電極金屬與第一導(dǎo)電類型集電區(qū)歐姆接觸，多晶電阻區(qū)通過(guò)電阻區(qū)氧化層與第二導(dǎo)電類型集電極短路區(qū)、第一導(dǎo)電類型集電區(qū)間隔，電阻區(qū)氧化層支撐在第二導(dǎo)電類型集電極短路區(qū)、第一導(dǎo)電類型集電區(qū)上；多晶電阻區(qū)位于連接金屬與集電極金屬之間，且多晶電阻與連接金屬、集電極金屬接觸，連接金屬通過(guò)絕緣介質(zhì)層與發(fā)射極結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)絕緣隔離。本發(fā)明與現(xiàn)有工藝兼容，能有效抑制橫向RC?IGBT器件的負(fù)阻現(xiàn)象，提高IGBT器件的可靠性。