一種溝槽柵IGBT器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111630323.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114420752A 公開(kāi)（公告）日 2022-04-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN114420752A 申請(qǐng)公布日 2022-04-29
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許生根;李哲鋒;訾彤彤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇中科君芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214135江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2棟五層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種溝槽柵IGBT器件，在P+型歐姆接觸區(qū)和N+型歐姆接觸區(qū)之間引入歐姆接觸介質(zhì)層，通過(guò)歐姆接觸介質(zhì)層將P+型歐姆接觸區(qū)和N+型歐姆接觸區(qū)進(jìn)行隔離，隔離后可以有效的防止P+型歐姆接觸區(qū)和N+型歐姆接觸區(qū)沿著溝槽方向的擴(kuò)散，從而可以消除P+型歐姆接觸區(qū)與N+型歐姆接觸區(qū)之間距離不能太小的限制，降低閾值電壓變化的風(fēng)險(xiǎn)，提升器件的導(dǎo)通電流和RBSOA能力。同時(shí)，由于歐姆接觸介質(zhì)層的存在，設(shè)計(jì)上不需要考慮器件的P+型歐姆接觸區(qū)和N+型歐姆接觸區(qū)擴(kuò)散對(duì)IGBT溝道寬度的影響，降低了設(shè)計(jì)難度和風(fēng)險(xiǎn)，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中P+型歐姆接觸區(qū)和N+型歐姆接觸區(qū)的間距對(duì)IGBT器件性能影響折中關(guān)系，提高IGBT器件的性能，降低IGBT的設(shè)計(jì)中的風(fēng)險(xiǎn)。