一種IGBT及其制作方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510784090.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN106711205B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-12-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106711205B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-21 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 滕淵;朱陽(yáng)軍;盧爍今;田曉麗 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 江蘇中科君芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王寶筠 |
| 地址 | 200120上海市浦東新區(qū)金橋路939號(hào)宏南投資大廈1513室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種IGBT及其制作方法,該IGBT包括:半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底第一表面的正面結(jié)構(gòu)和終端結(jié)構(gòu)、位于半導(dǎo)體襯底第二表面的背面結(jié)構(gòu),和位于半導(dǎo)體襯底側(cè)面的隔離層,隔離層覆蓋半導(dǎo)體襯底的側(cè)面、終端結(jié)構(gòu)的側(cè)面和背面結(jié)構(gòu)的側(cè)面,使得本發(fā)明實(shí)施例所提供的IGBT中,其PN結(jié)不會(huì)出現(xiàn)在IGBT的側(cè)面,從而避免了IGBT在其背面的PN結(jié)反偏時(shí),其載流子從PN結(jié)側(cè)面邊緣流出,產(chǎn)生的漏電現(xiàn)象,提高了IGBT的反向阻斷能力。而且,本發(fā)明實(shí)施例所提供的IGBT制作方法,不需要長(zhǎng)時(shí)間的熱擴(kuò)散,加工時(shí)間較短,對(duì)IGBT的生產(chǎn)效率影響不大。 |





