一種IGBT組件及其版圖

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910773765.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110504258B 公開(kāi)（公告）日 2021-05-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN110504258B 申請(qǐng)公布日 2021-05-14
分類(lèi)號(hào) H01L27/07 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊曉鸞;許生根;張金平;姜梅 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 江蘇中科君芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國(guó)誠(chéng)專(zhuān)利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 214000 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2-501
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種IGBT組件及其版圖，屬于IGBT器件的技術(shù)領(lǐng)域。IGBT組件包括IGBT器件IGBT1、IGBT器件IGBT2以及MOS管LM，IGBT器件IGBT2的開(kāi)啟受限于MOS管LM的開(kāi)啟控制，而MOS管LM的開(kāi)啟受限于IGBT組件工作時(shí)的通過(guò)電流傳感器的電流(Is1+Is2)和電阻R，從而實(shí)現(xiàn)了IGBT組件工作在低電流狀態(tài)下只開(kāi)通IGBT器件IGBT1，工作在高電流狀態(tài)下IGBT器件IGBT1和IGBT器件IGBT2同時(shí)開(kāi)通，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了不同輸出電流下，IGBT組件內(nèi)IGBT器件IGBT1和IGBT器件IGBT2的導(dǎo)通控制，從而有效降低器件自身的能量損耗，拓寬IGBT組件的高效工作區(qū)，實(shí)現(xiàn)低工作電流下的高傳輸效率。