均熱溝槽柵IGBT的制作工藝及均熱溝槽柵IGBT結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111635315.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114334648A 公開(kāi)（公告）日 2022-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114334648A 申請(qǐng)公布日 2022-04-12
分類(lèi)號(hào) H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李哲鋒;訾彤彤;許生根;楊曉鸞;孔凡標(biāo);李磊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇中科君芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214135江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2棟五層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種均熱溝槽柵IGBT結(jié)構(gòu)，包括：一個(gè)有效IGBT元胞和一個(gè)柵極熱敏控制單元；所述有效IGBT元胞設(shè)置為溝槽柵型IGBT元胞；所述柵極熱敏控制單元包括兩個(gè)熱敏電阻和兩個(gè)二極管；其中一個(gè)熱敏電阻和一個(gè)二極管串聯(lián)形成第一串聯(lián)支路用于控制柵極開(kāi)通速度，第一串聯(lián)支路的一端連接溝槽柵，另一端連接?xùn)艠O金屬；其中另一個(gè)熱敏電阻和另一個(gè)二極管反向串聯(lián)形成第二串聯(lián)支路用于控制柵極關(guān)斷速度，第二串聯(lián)支路的一端連接溝槽柵，另一端連接?xùn)艠O金屬。本發(fā)明通過(guò)獨(dú)立設(shè)置的溝槽柵以及熱敏柵電阻，實(shí)現(xiàn)了單個(gè)元胞根據(jù)自身溫度自行調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)速度，使溫度高的元胞降低損耗，從而達(dá)到降低自身結(jié)溫的目的。對(duì)于整個(gè)IGBT芯片來(lái)說(shuō)實(shí)現(xiàn)了熱均衡。