具有高抗短路能力的溝槽柵IGBT器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710827906.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107644903B 公開（公告）日 2020-03-17
申請公布號 CN107644903B 申請公布日 2020-03-17
分類號 H01L29/739;H01L21/331;H01L29/10 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金銳;楊曉鸞;許生根;姜梅;董少華;崔磊 申請（專利權(quán)）人 江蘇中科君芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 國家電網(wǎng)公司;全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;江蘇中科君芯科技有限公司;國網(wǎng)山東省電力公司電力科學(xué)研究院
地址 102200 北京市昌平區(qū)未來科技城濱河大道18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有高抗短路能力的溝槽柵IGBT器件及其制備方法，其元胞區(qū)內(nèi)的元胞包括兩個相鄰的元胞溝槽，所述兩相鄰元胞溝槽相鄰?fù)鈧?cè)壁上方設(shè)置第二導(dǎo)電類型第一體區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型第一體區(qū)與相應(yīng)元胞溝槽的側(cè)壁接觸，所述兩相鄰元胞溝槽間相互遠(yuǎn)離的外側(cè)壁上方設(shè)置第一導(dǎo)電類型源區(qū)，第一導(dǎo)電類型源區(qū)與相應(yīng)的元胞溝槽側(cè)壁接觸，在制作第二導(dǎo)電類型第一體區(qū)時，只需要對第一導(dǎo)電類型源區(qū)注入的光刻版進(jìn)行調(diào)整即可，在不影響IGBT器件的耐壓和寄生電容情況下，降低溝槽柵IGBT的溝道密度，降低飽和電流，有效提高溝槽柵IGBT器件的抗短路能力，結(jié)構(gòu)緊湊，與現(xiàn)有工藝兼容，安全可靠。