壓接式IGBT器件正面金屬電極結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711017467.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107818916B 公開（公告）日 2020-03-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN107818916B 申請(qǐng)公布日 2020-03-17
分類號(hào) H01L21/285 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金銳;許生根;楊曉鸞;姜梅;董少華;崔磊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇中科君芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 102200 北京市昌平區(qū)未來(lái)科技城濱河大道18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種壓接式IGBT器件正面壓接金屬電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其包括如下步驟：步驟1、提供制備有正面元胞結(jié)構(gòu)的IGBT晶圓；步驟2、將金屬淀積基片鍵合在連接金屬電極層上；步驟3、在上述金屬淀積基片上方淀積所需的金屬，所述淀積的金屬通過(guò)金屬淀積圖形與連接金屬電極層電連接；步驟4、將金屬淀積基片與連接金屬電極層分離；步驟5、在上述IGBT晶圓正面制備所需的鈍化層。本發(fā)明工藝步驟簡(jiǎn)單，與現(xiàn)有工藝兼容，能有效實(shí)現(xiàn)壓接式IGBT器件正面上壓接金屬電極層的制備，可以省掉壓接式IGBT器件上壓接金屬電極層的光刻加工工序，有效縮短壓接式IGBT器件的加工周期，降低加工成本，安全可靠。