一種微溝槽柵IGBT正面的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111627688.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114284148A 公開（公告）日 2022-04-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN114284148A 申請(qǐng)公布日 2022-04-05
分類號(hào) H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊曉鸞;許生根 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇中科君芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214135江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園D2棟五層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種微溝槽柵IGBT正面的制作方法。本發(fā)明在接觸孔光刻及刻蝕后進(jìn)行P型重?fù)诫s區(qū)的光刻及注入激活，一方面在接觸孔刻蝕后進(jìn)行P型重?fù)诫s區(qū)光刻再注入P型重?fù)诫s區(qū)，可以結(jié)合接觸孔的形貌有效控制P型重?fù)诫s區(qū)與N型重?fù)诫s區(qū)的間距，從而改善閾值分布一致性；另一方面，P型重?fù)诫s區(qū)的光刻及注入激活放在接觸孔刻蝕后，P型重?fù)诫s區(qū)光刻版上的形貌設(shè)置可以大于實(shí)際要注入到硅中的P型重?fù)诫s區(qū)，還避免了現(xiàn)有工藝中在接觸孔光刻及刻蝕前進(jìn)行P型重?fù)诫s區(qū)注入，P型重?fù)诫s區(qū)需要注入?yún)^(qū)域小，光刻工藝波動(dòng)會(huì)對(duì)P型重?fù)诫s區(qū)注入產(chǎn)生較大影響的風(fēng)險(xiǎn)，從而提高了器件的可制作性。