半導(dǎo)體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910388321.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110098110B 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN110098110B 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L21/04;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃海濤;張永熙;陳偉 申請（專利權(quán)）人 上海瞻芯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉新宇
地址 201306 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)海洋一路333號8號樓3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法，所述方法包括：在碳化硅外延層形成第一介質(zhì)層；通過第一介質(zhì)層對碳化硅外延層進(jìn)行第一劑量及第一能量的第一離子注入，形成半導(dǎo)體器件的結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET注入?yún)^(qū)域；通過第一介質(zhì)層及JFET注入?yún)^(qū)域形成半導(dǎo)體器件的體區(qū)域及源區(qū)域；在第一介質(zhì)層上依次形成第二介質(zhì)層及光刻膠層；對光刻膠層及第二介質(zhì)層進(jìn)行光刻處理，形成P型延伸PET注入?yún)^(qū)域；通過PET注入?yún)^(qū)域進(jìn)行第二劑量及第二能量的第二離子注入，形成半導(dǎo)體器件的PET區(qū)域；利用JFET注入?yún)^(qū)域、體區(qū)域、源區(qū)域及PET區(qū)域形成半導(dǎo)體器件。本公開可以減少形成半導(dǎo)體器件的工藝流程，節(jié)約制造半導(dǎo)體器件的成本。