一種互連微焊點(diǎn)、芯片及芯片的焊接方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011496479.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112670267A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-04-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112670267A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-16 |
| 分類號(hào) | H01L23/52;H01L21/768 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱文輝;唐楚;馬創(chuàng)偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 長(zhǎng)沙安牧泉智能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙朕揚(yáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 何湘玲 |
| 地址 | 410083 湖南省長(zhǎng)沙市麓山南路932號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及電子元器件的封裝技術(shù),公開(kāi)了一種互連微焊點(diǎn)、芯片及芯片的焊接方法,本發(fā)明的互連微焊點(diǎn),包括第一銅層、第一阻擋層、第一錫層、第二錫層、第二阻擋層以及第二銅層,所述第一阻擋層設(shè)于所述第一銅層上,所述第一錫層設(shè)于所述第一阻擋層上,所述第二阻擋層設(shè)于所述第二銅層上,所述第二錫層設(shè)于所述第二阻擋層上,在焊接狀態(tài)下,所述第一錫層與所述第二錫層鍵合于一體。這樣,可以通過(guò)第一阻擋層和第二阻擋層抑制互連微焊點(diǎn)之間的孔洞,能防止由于孔洞擴(kuò)散成裂紋影響芯片結(jié)構(gòu)。 |





