一種TSV電鍍填充添加劑本構(gòu)模型的構(gòu)建方法及系統(tǒng)
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110671175.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN113408227A | 公開(公告)日 | 2021-09-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113408227A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-17 |
| 分類號(hào) | G06F30/3308(2020.01)I;G06F30/20(2020.01)I;G06F119/14(2020.01)N | 分類 | 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù); |
| 發(fā)明人 | 朱文輝;王峰;吳厚亞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 長(zhǎng)沙安牧泉智能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙軒榮專利代理有限公司 | 代理人 | 李崇章 |
| 地址 | 410000湖南省長(zhǎng)沙市長(zhǎng)沙高新開發(fā)區(qū)岳麓西大道1698號(hào)麓谷高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C棟二樓東 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明屬于集成電路三維封裝領(lǐng)域,具體涉及一種TSV電鍍填充添加劑本構(gòu)模型的構(gòu)建方法及系統(tǒng)。該方法包括:對(duì)電極進(jìn)行預(yù)處理;配置電鍍基礎(chǔ)液和待測(cè)試添加劑,并將稀釋后的電鍍基礎(chǔ)液注入五口電解池;連接電解池電路,在不同電勢(shì)作用下采用計(jì)時(shí)安培法測(cè)量添加劑加入前后電鍍基礎(chǔ)液的電流?時(shí)間曲線;根據(jù)所述電流?時(shí)間曲線對(duì)電流密度進(jìn)行歸一化處理,獲得所述添加劑的覆蓋率;擬合不同電勢(shì)下添加劑覆蓋率隨添加劑濃度的變化規(guī)律,并根據(jù)添加劑的吸附動(dòng)力學(xué)構(gòu)建本構(gòu)方程,本發(fā)明實(shí)驗(yàn)步驟簡(jiǎn)單,成本低,且獲得的本構(gòu)模型可靠性高。 |





