一種低相位噪聲電壓控制振蕩器
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 2020113365536 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112290938A | 公開（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申請公布號(hào) | CN112290938A | 申請公布日 | 2021-01-29 |
| 分類號(hào) | H03L7/099(2006.01)I; | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 魏來 | 申請（專利權(quán)）人 | 燦芯半導(dǎo)體（蘇州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海灣谷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 倪繼祖 |
| 地址 | 215006江蘇省蘇州市吳中區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)通園路208號(hào)蘇化科技園6號(hào)305-309室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種低相位噪聲電壓控制振蕩器，接收LPF的輸出電壓，包括：三級延遲單元、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、電阻和電容，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管各自的柵極分別接收LPF的輸出電壓；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管各自的源極分別接地；所述第一NMOS管的漏極連接所述第一PMOS管的漏極；所述第二NMOS管的漏極連接所述第三PMOS管的漏極。本發(fā)明有效壓縮VCO的低頻閃爍噪聲。?? |
