一種低相位噪聲電壓控制振蕩器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022756207.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213426144U 公開(kāi)（公告）日 2021-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN213426144U 申請(qǐng)公布日 2021-06-11
分類號(hào) H03L7/099;H03B1/04;H03B5/08 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 魏來(lái) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 燦芯半導(dǎo)體（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海灣谷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 倪繼祖
地址 215006 江蘇省蘇州市吳中區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)通園路208號(hào)蘇化科技園6號(hào)305-309室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種低相位噪聲電壓控制振蕩器，接收LPF的輸出電壓，包括：三級(jí)延遲單元、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、電阻和電容，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管各自的柵極分別接收LPF的輸出電壓；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管各自的源極分別接地；所述第一NMOS管的漏極連接所述第一PMOS管的漏極；所述第二NMOS管的漏極連接所述第三PMOS管的漏極。本實(shí)用新型有效壓縮VCO的低頻閃爍噪聲。