ITO的完整蝕刻方法及LED芯片制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410517689.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104347772B 公開(kāi)（公告）日 2017-06-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN104347772B 申請(qǐng)公布日 2017-06-20
分類(lèi)號(hào) H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳偉東;高俊民;成濤;王占偉;于海蓮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東成林光電技術(shù)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 257091 山東省東營(yíng)市東城東四路與北二路交叉口向南100米路西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開(kāi)了一種?ITO的完整蝕刻方法，包括步驟：對(duì)蒸鍍?cè)谛纬膳_(tái)階的P?GaN層和N?GaN層表面的ITO層進(jìn)行第一次蝕刻，從而將沒(méi)有光刻膠覆蓋的N?GaN層正表面的ITO層去除，并同時(shí)在P?GaN層和N?GaN層之間的過(guò)渡區(qū)域蝕刻表面形成生成物；使用TMAH溶液對(duì)一次蝕刻中形成在P?GaN層和N?GaN層之間的過(guò)渡區(qū)域蝕刻表面的生成物去除；對(duì)經(jīng)過(guò)一次TMAH后的P?GaN層和N?GaN層表面的ITO層進(jìn)行第二次蝕刻，從而將殘留在P?GaN層和N?GaN層之間的過(guò)渡區(qū)域蝕刻表面的ITO層去除，并在P?GaN層和N?GaN層之間的過(guò)渡區(qū)域蝕刻表面形成生成物；以及使用TMAH溶液對(duì)二次蝕刻中形成在P?GaN層和N?GaN層之間的過(guò)渡區(qū)域蝕刻表面的生成物去除。