一種LED芯片
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201420572069.7 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN204230286U | 公開(公告)日 | 2015-03-25 |
| 申請公布號 | CN204230286U | 申請公布日 | 2015-03-25 |
| 分類號 | H01L33/40(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高俊民;許鍵;吳偉東;李愛玲;成濤;王占偉;于海蓮 | 申請(專利權(quán))人 | 山東成林光電技術(shù)有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 257091 山東省東營市東城東四路與北二路交叉口向南100米路西 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實(shí)用新型公開一種LED芯片,包括N型GaN層,設(shè)置于所述N型GaN層上的P型PaN層,所述N型GaN層上設(shè)有N電極,所述P型PaN層上設(shè)有P電極,所述N電極和P電極均是蒸鍍的鉻鉑金。通過在N型GaN層上的N電極和P型PaN層上的P電極蒸鍍的鉻鉑金,可提高所述N電極和P電極的電性穩(wěn)定性,從而保證LED正常良好的使用。 |





