磷砷銻共摻雜的N型重?fù)街崩鑶尉Ъ捌涔柰庋悠?/p>

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510083673.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104711675B 公開(kāi)（公告）日 2017-11-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN104711675B 申請(qǐng)公布日 2017-11-10
分類(lèi)號(hào) C30B29/06(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 田達(dá)晰;馬向陽(yáng);李剛;何永增;鄭鐵波;梁興勃;陳華;王震 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 浙江金瑞泓科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 代理人 林松海
地址 315800 浙江省寧波市寧波保稅區(qū)0125-3地塊
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了磷砷銻共摻雜的N型重?fù)街崩鑶尉Ъ捌涔柰庋悠?。磷砷銻共摻雜的N型重?fù)街崩鑶尉?，磷作為主要摻雜元素，砷、銻中的一種或二種作為輔助摻雜元素，所述的磷的濃度大于等于4.6×1019/cm3,在摻雜元素中占比大等于60%，輔助摻雜元素在摻雜元素中的占比為0.1%?40%。本發(fā)明能消除或顯著減少硅外延片中因晶格失配引起的滑移線的N型重?fù)街崩鑶尉В梢杂行p少或消除在由高摻雜濃度的N型重?fù)街崩鑶尉Ъ庸さ膾伖馄仙L(zhǎng)外延層時(shí)產(chǎn)生的失配位錯(cuò)線缺陷；且在解決該問(wèn)題的同時(shí)不會(huì)產(chǎn)生在高溫過(guò)程后半導(dǎo)體器件過(guò)渡區(qū)變寬的問(wèn)題；改變了業(yè)界慣例即在硅單晶中磷砷銻中的多種不能同時(shí)作為摻雜劑。